富士通电子元器件公司推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM

这款非易失性内存是高端汽车市场高级驾驶辅助系统(ADAS)的理想之选

上海，2020年5月11日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7V至1.95V，配有串行外设接口(SPI)。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。

这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如ADAS。

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。

自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3.3V或5V的64Kbit～2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1.8V。富士通电子近日推出的这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等需要实时数据记录的应用。

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

图3：8pin DFN和8pin SOP封装

除2Mbit FRAM，富士通电子目前正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。

关键规格

·组件型号：MB85RS2MLY

·容量(组态)：2 Mbit(256K x 8位)

·接口：SPI(Serial Peripheral Interface)

·运作频率：最高50 MHz

·运作电压：1.7伏特 - 1.95伏特

·运作温度范围：摄氏零下40度 - 摄氏125度

·读∕写耐用度：10兆次 (1013次)

·封装规格：8-pin SOP与8-pin DFN

·认证标准：符合AEC-Q100 Grade 1

词汇与备注

注一：铁电随机存取内存(FRAM)

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。

关于富士通电子元器件(上海)有限公司

富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。

富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs)，代工服务，专用标准产品(ASSPs)，铁电随机存储器，继电器，GaN(氮化镓)，MCU和电源功率器件等，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。

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